據(jù)韓國媒體報道，三星DDR6內(nèi)存已經(jīng)投入研發(fā)，并預(yù)計在2024年之前完成設(shè)計。

報道稱，三星負(fù)責(zé)測試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁在韓國水原的一次研討會上透露，隨著未來內(nèi)存本身性能的擴(kuò)大，封裝技術(shù)也需要不斷發(fā)展。該公司證實，它已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP（改良半加成法）封裝技術(shù)。

根據(jù)三星的說法，MSAP已經(jīng)被其競爭對手（SK海力士和美光）用于DDR5。

那么，MSAP有什么新特點(diǎn)呢？

據(jù)介紹，MSAP修正后的半加成工藝允許DRAM制造商創(chuàng)建具有更精細(xì)電路的內(nèi)存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上涂抹電路圖案來實現(xiàn)的，這樣可以實現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內(nèi)存不僅將利用MSAP來加強(qiáng)電路連接，而且還將適應(yīng)DDR6內(nèi)存中增加的層數(shù)。

三星預(yù)計，其DDR6設(shè)計將在2024年之前完成，但預(yù)計2025年之后才會有商業(yè)使用的可能。就規(guī)格而言，DDR6內(nèi)存將是現(xiàn)有DDR5內(nèi)存的兩倍，傳輸速度可達(dá)12800Mbps（JEDEC），超頻后的速度可超過17000Mbps。

目前，三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200Mbps，在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)下提高了1.7倍，在下一代內(nèi)存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。